Новости

22 февраля 2019
Шестая школа-конференция с международным участием по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам
Приглашаем всех студентов, аспирантов и молодых учёных принять участие в 6ой международной...

13 февраля 2019
Национальные академии наук России и Германии намерены создать совет молодых ученых
Российская академия наук (РАН) и Немецкая национальная академии наук намерены создать...

30 января 2019
Международные on-line конкурсы студентов и преподавателей, 2019
Приглашаем Вас принять участие в Международных on-line конкурсах студентов и преподавателей. Участие -...

25 июня 2018
Четвертый междисциплинарный научный форум «Новые материалы и перспективные технологии» пройдет в Москве с 27 по 30 ноября 2018 г.
Четвертый междисциплинарный научный форум с международным участием «Новые материалы и перспективные...

28 декабря 2017
Информация по ФЦП «Жилище»
Постановлением Правительства РФ от 12.10.2017 № 1243 «О реализации мероприятий федеральных целевых...

Все новости

Киреев Всеволод ВадимовичКандидат химических наук. Старший научный сотрудник Учреждения Российской академии наук Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН.

Защитил диссертацию на тему «Синтез и свойства литиевых монокристаллических твердых электролитов».

Научные интересы Киреева В.В. лежат в области выращивания монокристаллов, синтеза нанокристаллов, исследования свойств кристаллических материалов. В.В. Киреев владеет различными методиками роста кристаллов – гидротермальный синтез, рост из расплава в растворе, методы Чохральского и Киропулоса, бестигельная зонная плавка, синтез нанокристаллов методом пиролиза диспергированных ультразвуком растворов. Значительная часть выращенных монокристаллов относится к классу твёрдых электролитов (суперионных проводников) – материалов для литиевых батарей и аккумуляторов. Выращенные монокристаллы использовались для изучения фундаментальных механизмов ионного переноса в твёрдых телах. Киреевым В.В. выращен ряд новых кристаллов, в содружестве с другими учёными на них впервые была определена кристаллическая структура.

В.В. Киреев принимал участие в разработке промышленных технологий кристаллизации важных для современной техники монокристаллов – оптического кварца и оксида цинка. Результаты разработки защищены патентами.

В настоящее время научные интересы Киреева В.В. связаны в основном с синтезом и изучением нанокристаллов оксида цинка. Оксид цинка – многофункциональный кристаллический материал, являющийся объектом интенсивных научных исследований вследствие его уникальных характеристик, обеспечивающих использование в различных областях современной техники. Круг потенциального использования оксида цинка очень обширен и включает пьезоэлектрические устройства, устройства на ПАВ, газовые сенсоры, электроды для солнечных ячеек, варисторы, лазеры, плоские полевые дисплеи FED, сверхтонкие гибкие TFT, экраны и, светодиоды LED, сцинтилляторы, подложки для GaN. Низкоразмерные кристаллические объекты на основе оксида цинка являются перспективным материалом для создания УФ светоизлучающих источников. Проблема создания миниатюрных, экономичных, энергосберегающих, экологически чистых светоизлучающих источников является сейчас актуальной в области научных исследований и перспектив практического использования. Работы Киреева В.В. посвящены синтезу нанокристаллов и нанокомпозитов на основе оксида цинка методом пиролиза диспергированных ультразвуком растворов. Полученные объекты проявляют люминесценцию и лазерную генерацию в УФ-области, что и определяет их потенциальное применение в качестве базового материала для источников света.

Наряду с научной работой, Киреев В.В. ведёт активную общественную деятельность: занимается организацией выставок, разработкой презентационных материалов, принимает участие в подготовке семинаров, научных чтений, молодёжных школ и т.п.

Тел.: +7(499) 135-01-00, +7(903) 124-00-62

E-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

 
Copyright © 2009-2019 Российская академия наук